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ESS03波長掃描式多入射角光譜橢偏儀

產品型號:ESS03

負責人:趙德廠

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產品詳情

ESS03是針對科研和工業環境中薄膜測量領域推出的波長掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。
ESS03采用寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學參數（如，折射率n、消光系數k、復介電常數ε等），也可用于測量塊狀材料的光學參數。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。
技術特點：
極寬的光譜范圍
采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統光學設計，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求嚴格的場合。
靈活的測量設置
儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
原子層量的檢測靈敏度
采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。
非常經濟的技術方案
采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。
應用領域：
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。
ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體地臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量到10微米左右）。
ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等，典型應用如：
半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
節能環保領域：LOW-E玻璃等。
ESS03系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。典型應用包括：
玻璃新品研發和質量控制等。

技術指標：

項目	技術指標
光譜范圍	ESS03VI：370-1700nm ESS03UI：245-1700nm
光譜分辨率（nm）	可設置
入射角度	40°-90°手動調節，步距5，重復性0.02
準確度	δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時）
膜厚測量重復性（1）	0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n測量重復性（1）	0.001 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間	典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測量模式）
光學結構	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度）
可測量樣品大尺寸	直徑200 mm
樣品方位調整	高度調節范圍：10mm
樣品方位調整	二維俯仰調節：±4°
樣品對準	光學自準直顯微和望遠對準系統
軟件	•多語言界面切換
	•預設項目供快捷操作使用
	•安全的權限管理模式（管理員、操作員）
	•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫
	•豐富的模型數據庫
選配件	自動掃描樣品臺聚焦透鏡

注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池

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