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    NBD-PECVD1200-80TI PECVD等離子體化學氣相沉積系統

    NBD-PECVD1200-80TI PECVD等離子體化學氣相沉積系統

    產品型號:NBD-PECVD1200-80TI

    負責人:周貝貝

    QQ:707171058

    手機:13526881466

    產品詳情

    設備簡介:

    該產品是由固態等離子源、氣體質子流量控制系統、襯底控溫系統、真空系統組成,采用集中總線控制技術的操作軟件。適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料,適合于有機材料上保護層膜和溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

    配置詳情:


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    1. 清洗鍍膜一氣呵成,杜絕二次污染;

    2. 上開啟式結構,方便觀察試樣;

    3. 產品采用全自動控制方式,觸摸屏,數字化顯示;

    4. 設備一體化程度高; 

    5. 射頻電源,均勻的溫度分布,提高成膜質量;

    產品型號

    NBD-PECVD1200-80TI

    電氣規格

    AC220V    4KW

    可達溫度

    1200 ℃

    連續溫度

    1150 ℃

    可達加熱速率

    ≤  20 ℃/分鐘

    射頻電源

    500W   13.56MHz

    爐管尺寸

    Φ80*1200mm

    沉積示意圖




     


    如圖所示:此為該設備沉積過程中的示意圖

    控制系統


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    1.NBD-101EP嵌入式操作系統中英文互換圖形界面,7寸真彩觸屏輸入,智能式人機對話模式,實時加熱功率顯示,非線性式樣溫度修正;實驗報告自主生成,實驗數據無限次導出。

    2.實驗過程直觀,操作便捷;

    3.具有超溫報警、斷偶提示、漏電保護等功能。

    溫度精度

    +/- 1 ℃

    加熱元件



     


    Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金

    密封系統

     

     

     

    真空度:≤10Pa(機械泵)

    壓力測量與監控



              

     


    采用數顯真空計,可使設備真空度直觀,實驗結果準確。

    供氣系統


              



    采用兩路質子流量計準確控制氣體流速,與設備集成為一體;

    凈重

    360KG

    設備使用注意事項


    1. 設備爐膛溫度≥300℃時,禁止打開爐膛,避免受到傷害;

    2. 設備使用時,爐管內壓力不得超過0.125MPa,以防止壓力過大造成設備損壞;

    3. 真空下使用時,設備使用溫度不得超過800℃。

    4. 供氣鋼瓶內部氣壓較高,向爐管內通入氣體時,氣瓶上須安裝減壓閥,建議在選購試驗用小壓力減壓閥,減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會準確安全。

    5.當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓 相當,保持在常壓狀態;

    6.高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃

    7.加熱的實驗時,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,須立刻打開排氣端閥門,以防意外發生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)




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